MOSFET工作原理

　　MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。这里我们以增强型MOS为例分析。

　　场效应管是由源极，漏极，栅极组成，由于衬底的掺杂不同可分为N沟道和P沟道场效应管。（沟道：顾名思义就是在衬底上挖两个可填充沟道，填充N型或者P型半导体）

　　我们将漏极接到电源正极，源极接到电源负极。

　　对于场效应管，在栅极没有电压时，源极和漏极之间相当于两个背靠背的二极管，不会有电流流过，此时场效应管处于截止状态。

　　当在栅极加上电压时，当电压小于一个阈值VGS(th)时，栅极和衬底P之间会由于电场的作用，将P型半导体中的空穴推开，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中。

　　随着栅极电压的增大，栅极附近的电子浓度会增加。当超过一个阈值VGS(th)时，在源极和漏极之间的N型半导体会形成一个电子沟道。同时此时由于漏极加有正电压，就可以形成漏极到源极的电流，MOS管导通。

　　我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。这也是为什么说MOS管是电压控制性晶体管的原因。