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US1G SMA(2010)封装印字US1G 贴片超快恢复二极管YFW/佑风微品牌
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US1G SMA(2010)封装印字US1G 贴片超快恢复二极管YFW/佑风微品牌

型号:US1G

封装:SMA(2010)

品牌:YFW佑风微

类型:贴片超快恢复二极管

★电性参数:1A400V

★正向电流IF(AV):1A

★正向电压(VF):1.3V

★浪涌电流(IFSM):30A

★反向漏电流(IR):5uA

★恢复时间(TRR):50nS

★工作温度:-55~+150

★包装数量:3K每盘


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重量:0.00KG
产品参数描述:

型号:US1G

封装:SMA(2010)

品牌:YFW佑风微

类型:贴片超快恢复二极管

★电性参数:1A400V

★正向电流IF(AV):1A

★正向电压(VF):1.3V

★浪涌电流(IFSM):30A

★反向漏电流(IR):5uA

★恢复时间(TRR):50nS

★工作温度:-55~+150

★包装数量:3K每盘



US1G SMA(2010)快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。