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S8G SMC贴片整流二极管印字S8G    佑风微品牌
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S8G SMC贴片整流二极管印字S8G 佑风微品牌

型号:S8G

封装:SMC

品牌:YFW佑风微

类型:贴片整流二极管

★电性参数:8A400V

★芯片材质:GPP芯片

★正向电流IF(AV):8A

★正向电压(VF):0.985V

★浪涌电流(IFSM):200A

★反向漏电流(IR):10uA

★恢复时间(TRR):无

★芯片尺寸:标准尺寸

★工作温度:-55~+150

★包装数量:3K每盘


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重量:0.00KG
产品参数描述:

型号:S8G

封装:SMC

品牌:YFW佑风微

类型:贴片整流二极管

★电性参数:8A400V

★芯片材质:GPP芯片

★正向电流IF(AV):8A

★正向电压(VF):0.985V

★浪涌电流(IFSM):200A

★反向漏电流(IR):10uA

★恢复时间(TRR):无

★芯片尺寸:标准尺寸

★工作温度:-55~+150

★包装数量:3K每盘




S8G SMC整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。