二极管正向压降
正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。
在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。
小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
更多的人则了解PN结的伏安特性，即PN结压降与正向电流关系呈对数关系，如果说1mA时为0.6V, 10mA时为0.7V, 那么100mA， 1000mA 将可能对应0.82V及0.95V左右。
实际上，以上关系只在小电流下成立，当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了，我们目前知道，二极管除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻，由于电阻的分压，随着电流的增大二极管压降也会增大，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，可以认为，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。