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1N5408 DO-27插件整流二极管印字1N5408 佑风微品牌

型号:1N5408
封装:DO-27
品牌:YFW佑风微
类型:插件整流二极管
★电性参数:3A1000V
★芯片材质:整流管芯片
★正向电流IF(AV):3A
★芯片数量:1
★正向电压(VF):1.2V
★芯片尺寸:90MIL
★浪涌电流(IFSM):200A
★是否进口:进口芯片
★漏电流(IR):10uA
★工作温度:-65~+150
★恢复时间(TRR):500ns
★包装数量:1.25K每盒
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商品描述
型号:1N5408
封装:DO-27
品牌:YFW佑风微
类型:插件整流二极管
★电性参数:3A1000V
★芯片材质:整流管芯片
★正向电流IF(AV):3A
★芯片数量:1
★正向电压(VF):1.2V
★芯片尺寸:90MIL
★浪涌电流(IFSM):200A
★是否进口:进口芯片
★漏电流(IR):10uA
★工作温度:-65~+150
★恢复时间(TRR):500ns
★包装数量:1.25K每盒
1N5408 DO-27整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。
上一个: FR304 DO-2......
下一个: 1N5407 DO-......

佑风微电子专业生产销售:普通整流二极管、快恢复二极管、高效率二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、双向触发管、整流桥堆、肖特基桥堆、TVS瞬态抑制二极管、开关二极管、稳压二极管等。封装形式有:SOD123、SOD323、SOD523、SMAF、SMBF、SMA、SMB、SMC、TO277、DFN5*6、DO-41、DO-15、DO-27、R-6、UMB、UMSB、MBS、MBF、ABS、ABF、DBS、KBP、GBP、KBU、GBJ、GBU、KBL等多种封装形式二极管、整流桥堆。


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