您现在的位置:首页 > 新闻资讯 > 新闻资讯 > 电子知识

碳化硅-MOSFET晶体管性能优点

发布时间:2017-6-24 11:11:53 作者: 浏览:46

碳化硅-MOSFET晶体管性能优点
碳化硅场效应晶体管(SiC MOSFET)使用第三代宽禁带半导体材料碳化硅制作,应用于各种开关电路和功率模块。碳化硅具有硅材料十倍以上的临界电场强度,三倍的禁带宽度和三倍的热导率,因而SiC MOSFET在相同功率等级下有更低的导通电阻,更高的工作频率,开关损耗大幅降低,高温特性好,可大幅减小功率模块的体积和提高在高温工作下的稳定性。

咨询热线:
0769-82730331
0769-82730221
在线客服